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싱가포르 국립대학의 조병진 교수와 주성엔지니어링의 황철주사장이 조인식을 마치고 기념사진을 촬영하고 있다. LCD 및 반도체 전공정 장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)이 싱가포르 국립대학과 30나노미터(㎚) 이하의 회로선폭을 가진 소자제조에 사용될 차세대 반도체 장치 공동개발에 나섰다. 주성은 21일 자사의 반도체 연구소에서 싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실 책임자인 조병진 교수와 `초진공 선택적 에피텍셜층 성장장치'(UHV SEG; Ultra High Vacuum Selective Epitaxial Growth)를 이용한 차세대 고성능 반도체 소자의 기술 공동개발에 합의했다고 22일 밝혔다. 이번에 체결한 공동기술 개발은 나노급 소자에서의 전자의 이동속도를 300%이상 향상시킴으로써 30㎚이하의 소자에서 한계에 도달한 현재의 기반기술을 극복할 수 있는 혁신적인 기술이 될 것으로 기대하고 있다고 회사측은 밝혔다. 이번 합의에 따라 주성은 싱가포르 대학의 나노기술 개발에 필요한 장비 등 현물지원과 기술지원을 하게 되며, 싱가포르 대학은 기술개발에 나서게 된다. 이를 통해 개발된 기술은 양측이 공동으로 소유할 예정이다. 그동안 반도체 소자의 회로선폭이 30㎚ 이하로 줄어들 경우, 기존의 소자 제조 기술에서는 전자의 이동속도의 포화현상으로 인해 소자의 특성이 더 이상 개선되지 않는 한계에 도달하게 되는 문제가 발생한다. 이같은 한계를 극복하기 위해 SEG 기술을 이용하면 전자의 이동속도를 향상시킬 수 있게 되는데 최근에 세계 각국의 비메모리칩(Logic Device) 기술 선도 업체 등이 이에 대해 집중 연구하고 있다. 주성 관계자는 "30나노 이하의 장비 기술을 미리 개발해, 다가오는 차세대 시장에 대응하기 위해 이같은 공동개발에 나서게 됐다"고 말했다. 한편, 싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실은 2004년도에 실리콘 반도체 기술분야에 최고의 권위를 갖고 있는 최고학회인 IEDM 및 학술지 `IEEE 일렉트론 디바이스 레터스'에 최다 연구논문을 발표한 대학 연구소로서 그 연구 능력을 전세계적으로 널리 인정받은 바 있다. 오동희기자@디지털타임스 |
주성엔지니어링, 싱가포르 국립대와 협력..차세대 반도체 장비개발 나선다
디지털타임스 기사전송 2004-12-23 02:56
